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分离式半导体 - MOSFET - 单 - STMicroelectronics - STB155N3LH6 - MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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STB155N3LH6|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB155N3LH6
制造商型号: STB155N3LH6
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 50
系列 : STripFET™ DeepGATE™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 80A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 80nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 3800pF @ 25V
功率 - 最大 : 110W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D²PAK
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STB155N3LH6
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