标准包装 : | 1 |
系列 : | HTMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | - |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 400 毫欧 @ 100mA, 5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.4V @ 100µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 4.3nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 290pF @ 28V |
功率 - 最大 : | 50W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | 8-CDIP 裸露焊盘 |
供应商设备封装 : | 8-CDIP-EP |
包装 : | 散装 |