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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXFH10N100P - MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
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IXFH10N100P
制造商型号: IXFH10N100P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 30
系列 : Polar™ HiPerFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.4 欧姆 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 56nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 3030pF @ 25V
功率 - 最大 : 380W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFH10N100P
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