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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - MCH6626-TL-E - MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
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MCH6626-TL-E|SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
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MCH6626-TL-E
制造商型号: MCH6626-TL-E
制造商: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品目录绘图 : MCPH3 Package - P, N & N/P Channel Top
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 230 毫欧 @ 800mA, 4V
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.6A, 1A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : -
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1.4nC @ 4V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 105pF @ 10V
功率 - 最大 : 800mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-MCPH
供应商设备封装 : 6-MCPH
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: MCH6626-TL-E
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