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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - ON Semiconductor - NTLJD3119CTAG - MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
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NTLJD3119CTAG|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTLJD3119CTAG
制造商型号: NTLJD3119CTAG
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 2.6A, 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 65 毫欧 @ 3.8A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 271pF @ 10V
功率 - 最大 : 710mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 : 6-WDFN
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: NTLJD3119CTAG
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