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分离式半导体 - 阵列 - NXP Semiconductors - PMBT3906VS,115 - TRANS PNP/PNP 40V 200MA SOT666
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PMBT3906VS,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMBT3906VS,115
制造商型号: PMBT3906VS,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANS PNP/PNP 40V 200MA SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
晶体管类型 : 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) : -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 : 360mW
频率 - 转换 : 250MHz
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 : SOT-666
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PMBT3906VS,115
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