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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - NXP Semiconductors - PMDT290UNE,115 - MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
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PMDT290UNE,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMDT290UNE,115
制造商型号: PMDT290UNE,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 4,000
系列 : -
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 0.95V @ 250µ:A
闸电荷(Qg) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 83pF @ 10V
功率 - 最大 : 330mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 : SOT-666
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PMDT290UNE,115
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