产品培训模块 : | MOSFETs |
产品目录绘图 : | RxR0 Series TSMT-3 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 67 毫欧 @ 3A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 45V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 6.2nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 510pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TSMT3 |
供应商设备封装 : | TSMT3 |
包装 : | 剪切带 (CT) |