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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI4564DY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
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SI4564DY-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4564DY-T1-GE3
制造商型号: SI4564DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 17.5 毫欧 @ 8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 10A, 9.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 31nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 855pF @ 20V
功率 - 最大 : 3.1W, 3.2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOICN
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI4564DY-T1-GE3
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