产品目录绘图 : | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 240 毫欧 @ 2.8A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 18nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | 1.8W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | PowerPAK® SO-8 |
供应商设备封装 : | PowerPAK® SO-8 |
包装 : | 剪切带 (CT) |