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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Advanced Linear Devices Inc - ALD1101BPAL - MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
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ALD1101BPAL|Advanced Linear Devices Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ALD1101BPAL
制造商型号: ALD1101BPAL
制造商: Advanced Linear Devices Inc
描述: MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 50
系列 : -
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 40mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 75 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 500mW
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : 8-DIP(0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 : 8-PDIP
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: ALD1101BPAL
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