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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - BSS84P L6327 - MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
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BSS84P L6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSS84P L6327
制造商型号: BSS84P L6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品目录绘图 : Mosfets SOT-23
标准包装 : 1
系列 : SIPMOS®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 170mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8 欧姆 @ 170mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 19pF @ 25V
功率 - 最大 : 360mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : PG-SOT23-3
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSS84P L6327
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