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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - BUZ32 H3045A - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
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BUZ32 H3045A|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BUZ32 H3045A
制造商型号: BUZ32 H3045A
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装 : 1,000
系列 : SIPMOS®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 9.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 400 毫欧 @ 6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 530pF @ 25V
功率 - 最大 : 75W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : PG-TO263-3
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BUZ32 H3045A
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