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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Fairchild Semiconductor - FDB035AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
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FDB035AN06A0|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDB035AN06A0
制造商型号: FDB035AN06A0
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 : High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图 : D2PAK, TO-263AB Pkg
标准包装 : 1
系列 : PowerTrench®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3.5 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 80A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 124nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 6400pF @ 25V
功率 - 最大 : 310W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : TO-263AB
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDB035AN06A0
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