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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Fairchild Semiconductor - FDC6506P - MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
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FDC6506P|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDC6506P
制造商型号: FDC6506P
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 : High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 : Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图 : MOSFET SuperSOT-6
标准包装 : 1
系列 : PowerTrench®
FET 型 : 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 170 毫欧 @ 1.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.8A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 3.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 190pF @ 15V
功率 - 最大 : 700mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOT-23-6 细型, TSOT-23-6
供应商设备封装 : 6-SSOT
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDC6506P
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