
| 产品目录绘图 : | Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3 |
| 标准包装 : | 1 |
| 系列 : | OptiMOS™ |
| FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 : | 标准型 |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.6 毫欧 @ 80A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 90A |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 90µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | 80nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 5200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 : | 136W |
| 安装类型 : | 表面贴装 |
| 封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 : | PG-TO252-3 |
| 包装 : | 剪切带 (CT) |