
| 标准包装 : | 1,000 |
| 系列 : | - |
| FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 : | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.6A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 2.2 欧姆 @ 2.2A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | 31nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 : | 3.1W |
| 安装类型 : | 通孔 |
| 封装/外壳 : | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 供应商设备封装 : | I2PAK |
| 包装 : | 管件 |