
| 标准包装 : | 1 |
| 系列 : | - |
| FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 : | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 2A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 6.2 欧姆 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | 22nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大 : | 54W |
| 安装类型 : | 表面贴装 |
| 封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 : | TO-263AA |
| 包装 : | 散装 |