
| 产品目录绘图 : | ISOPLUS i4, i5 Package |
| 标准包装 : | 25 |
| 系列 : | TrenchMV™ |
| FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 特点 : | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 140A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 4.4 毫欧 @ 50A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | 170nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 : | 150W |
| 安装类型 : | 通孔 |
| 封装/外壳 : | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 供应商设备封装 : | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 包装 : | 管件 |