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分离式半导体 - JFET 结点场效应 - ON Semiconductor - 2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 30V 10MA 3CP
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2SK3666-3-TB-E|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SK3666-3-TB-E
制造商型号: 2SK3666-3-TB-E
制造商: ON Semiconductor
描述: JFET N-CH 30V 10MA 3CP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : CP Package N-Channel & RF Fets, Top
标准包装 : 1
系列 : -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : 1.2mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
漏极电流 (Id) - 最大 : 10mA
FET 型 : N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : -
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : 180mV @ 1µA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 4pF @ 10V
电阻 - RDS(开) : 200 欧姆
安装类型 : 表面贴装
包装 : 剪切带 (CT)
封装/外壳 : 3-CP
供应商设备封装 : 3-CP
功率 - 最大 : 200mW

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: 2SK3666-3-TB-E
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