PDF查询| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.8 欧姆 @ 660mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 14nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT223-4 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
