
| 标准包装 : | 10 |
| 系列 : | - |
| FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 特点 : | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 200mA |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.5 欧姆 @ 220mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大 : | 200mW |
| 安装类型 : | 表面贴装 |
| 封装/外壳 : | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 : | SOT-363 |
| 包装 : | 剪切带 (CT) |