PDF查询| 标准包装 ： | 1,000 |
| 系列 ： | TrenchMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 190mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 10 欧姆 @ 150mA, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 830mW |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 ： | TO-92-3 |
| 包装 ： | 散装 |
