PDF查询| 应用说明 ： | SiC MOSFETs Application Considerations |
| 产品培训模块 ： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 标准包装 ： | 30 |
| 系列 ： | Z-FET™ |
| FET 型 ： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 110 毫欧 @ 20A, 20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 90.8nC @ 20V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-247-3 |
| 包装 ： | 管件 |
