
| 标准包装 : | 8,000 |
| 系列 : | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : | 50µA @ 20V |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
| 漏极电流 (Id) - 最大 : | 1mA |
| FET 型 : | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : | - |
| 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : | 1.5V @ 1µA |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1.7pF @ 10V |
| 电阻 - RDS(开) : | - |
| 安装类型 : | * |
| 包装 : | * |
| 封装/外壳 : | * |
| 供应商设备封装 : | * |
| 功率 - 最大 : | 100mW |