PDF查询| 产品变化通告 ： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图 ： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 450 毫欧 @ 500mA, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 680mA, 460mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 2.3nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 700mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-23-6 细型, TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 ： | 6-SSOT |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
